联发科天玑9000详细参数曝光，为全球首颗台积电4nm工艺旗舰芯片

ITBEAR科技资讯11月19日消息，众所周知联发科方面将在明年第一季度。发布自己的旗舰级芯片天玑2000，用于“对抗”高通骁龙898处理器。不过根据近日信息显示，天玑2000和高通骁龙898两款芯片均改变了命名，分别为天玑9000和Snapdragon 8 gen 1。

今日上午，知名数码博主@数码闲聊站 爆料，称“天玑9000详细参数来了，为全球首颗基于台积电4nm的旗舰芯”。

该博主表示，官方数据是对比当前安卓旗舰芯，GB5单核提升10%，跑分估计在1.2k±/4k±，安兔兔100万+。GPU有35%的性能提升，60%能效比提升”。并且外围堆料也很豪华，具有8MB三级缓存+6MB系统缓存，支持7500Mbps LPDDR5x，最高支持3.2亿像素ISP。

结合此前消息，全新的联发科天玑9000芯片将采用台积电4nm工艺制程和新一代v9构架，拥有1×3.0GHz X2超大核+3×2.85GHz大核+4×1.8GHz小核，采用Mali-G710 MC10 GPU，且搭载第5代AI处理器(主要用于拍摄游戏视频的应用方面)。

目前，大概知道高通骁龙898处理器的首发对象可能是小米或者摩托罗拉。但遗憾的是，还未知将有哪款手机首发天玑900芯片。有人透露该芯片将在明年2月份有望亮相，就让我们敬请期待吧。